东芯半导体：19nm闪存完成首轮流片 暂时不做3D闪

说到国产NAND闪存，大家肯定第一个想到长江存储，但在这一行业努力的还有很多家。

8月19日，东芯半导体在回答投资者提问时透露，该公司采用19nm先进工艺的NAND Flash闪存产品已完成了首轮流片，目前正在产品调试的过程中。

东芯称，公司在更新工艺方面不断钻研，从38nm、24nm再到正在开发的19nm的工艺，通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。

对于是否会进军3D NAND闪存，东芯回应称，目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，暂不涉及3D NAND业务。

另外，车规级存储器产品对各项指标都有更高的要求，因此认证、导入时间较长，目前相关产品正在积极研发和导入过程中。

公开资料显示，东芯半导体股份有限公司(DoSilicon)成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，致力于成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。

作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。