AMD第二代3D缓存揭秘：工艺不变 却神奇地缩小了

AMD的锐龙7000X3D系列第二次集成了3D V-Cache堆叠缓存，虽然官方说和锐龙7 5800X3D上的没有太大区别。

但实际上，还是有很多不一样的。

锐龙7 5800X3D上堆叠的64MB 3D缓存采用与CCD部分相同的7nm工艺，面积41平方毫米，晶体管数量47亿个，密度为1.146亿个/平方毫米。

锐龙7000X3D上的容量还是64MB，工艺还是7nm，晶体管数量还是约47亿个，但是面积缩小到了36平方毫米，幅度约12％，密度因此增加到1.306亿个/平方毫米。

这主要得益于更高密度的SRAM存储单元，使得Tag标签区域大大缩小，三级缓存的整体面积效率提升了32％。

同时，TSV信号通道部分的成本降低了50％，对接口电路的需求也大大减少。

顺带一提，5nm Zen4 CCD部分的面积为66.3平方毫米，晶体管65.7亿个，密度9900万个/平方毫米，7nm Zen3 CCD部分则是80.7平方毫米、41.5亿晶体管、5140万个/平方毫米，都不如3D缓存的集成度更高。

AMD还介绍了Zen4二级缓存的更多细节，除了大家熟系的0.5MB容量翻番为1MB，还提升了数据路径和控制逻辑电路的集成度(面积更小)，LRU(最近最少使用)单元旋转90度以匹配更低的内核高度。

更关键的是，二级缓存部分可以和3D缓存相通，TSV供电通道直达二级缓存，这也是更小的5nm CCD所必需的。