10万次寿命 兆易创新38nm闪存量产：所有环节均为

2月22日，兆易创新通过官方公众号宣布，旗下全国产化38nm SPI NAND Flash GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。

兆易创新表示，该系列包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6产品，覆盖1Gb-4Gb容量，从设计研发、生产制造到封装测试所有环节，均采用国内供应链，极大程度上填补了国产大容量车用存储器的空白，全面进入汽车应用领域，并且兆易创新拥有强大的本地化支持和快速的客户响应能力，加速助力汽车应用的国产化。

兆易创新GD5F系列SPI NAND Flash 芯片使用成熟的38nm制程工艺，采用WSON8 8mmx6mm少引脚、小型化封装，在狭小空间内实现大容量的选择；其内置ECC纠错模块，在保留NAND成本优势的前提下，极大提高产品的可靠性；并且在-40℃~105℃的宽温度范围内，实现高达10万次的擦写性能。

目前，兆易创新GD5F全系列SPINAND Flash 均已通过AEC-Q100车规级认证，并且在其久经验证的车规级GD25 SPI NOR Flash基础上形成了有效的扩展。

在Flash存储器领域，兆易创新已实现从SPI NOR Flash 到SPI NAND Flash的车规级产品的全面布局，为车载应用的国产化提供丰富多样的选择，这也极大凸显了兆易创新在汽车领域持之以恒的投入和创新。

兆易创新GD5F SPI NAND Flash 和GD25 SPI NOR Flash车规级产品均已量产。