Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了！

2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上，Intel展示了多项新的半导体技术突破，继续推进摩尔定律。

一是3D堆叠CMOS晶体管，一种栅极间距垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)，结合了背面供电(PowerVia)、直接背面触点(direct backside contact)，可以缩微至60nm。

它可以通过晶体管堆叠提升面积效率和性能优势，显现了Intel在GAA全环绕栅极晶体管领域的领先地位。

其中，PwoerVia技术将于2024年在Intel 20A节点上做好投产准备。

二是同一块300毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管，且性能良好。

这为实现300毫米硅基氮化镓(GaN-on-silicon)晶圆开辟一条可行的路径。

今年，Intel在硅和氮化镓集成方面取得突破性进展，成功实现了高性能、大规模的集成电路供电方案，名为“DrGaN”。

三是全新的过渡金属二硫属化物(TMD)晶体管，可以让晶体管物理栅极长度微缩到10纳米以下。

除了这种新的2D通道材料，Intel还展示了率先实现的两项相关技术：GAA 2D过渡金属二硫属化物PMOS晶体管，以及300毫米晶圆上制造的2D PMOS晶体管。