日本尼康宣布全新ArF浸没式光刻机：精度小于2

12月10日消息，尼康宣布，将于2024年1月正式推出ArF 193纳米浸没式光刻机 NSR-S636E ，生产效率、套刻精度都会有进一步提升。

据悉，尼康这款曝光机采用增强型iAS设计，可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正，重叠精度(MMO)更高，号称不超过2.1纳米。

分辨率小于38纳米，镜头孔径1.35，曝光面积为26x33毫米。

对比当前型号，它的整体生产效率可提高10-15％，创下尼康光刻设备的新高，每小时可生产280片晶圆，停机时间也更短。

尼康还表示，在不牺牲生产效率的前提下，新光刻机可在需要高重叠精度的半导体制造中提供更高的性能，尤其是先进逻辑和內存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造，堪称最佳解决方案。

另据了解，新光刻机的光源技术是20世纪90年代就已经成熟的 i-line ，再加上相关零件、技术的成熟化，价格将比竞品便宜20-30％左右。

不过，目前尚不清楚尼康这款光刻机能制造多少纳米的芯片。

日本尼康、佳能与荷兰阿斯麦(ASML)曾经是光刻机三巨头，但因为点错了科技树，没有跟上阿斯麦的193纳米浸没式光刻技术，逐渐没落，尤其是在EUV极紫外光刻技术上毫无建树。

为了生存，尼康、佳能基本放弃了对尖端光刻技术的角逐，更专注于难度更低、价格更低的成熟工艺光刻设备。

但他们也并非一无是处，比如佳能研发了纳米压印技术(NIL)，无需EUV就能制造5纳米芯片。