Intel：我们1.8nm工艺轻松打败台积电2nm 2年内没对

12月23日消息，据国外媒体报道称，Intel的CEO接受采访时表示，自家的18A制程（1.8nm）比领先台积电N2，在这块他们2年内没有对手。

报道称，英特尔的未来取决于重新获得半导体制造领域的技术领先地位，这位CEO相信这将在两年内实现。

在Intel的CEO看来，其对20A和18A充满信心，主要是因为它们采用了RibbonFET架构，即全栅极 (GAA) 晶体管和背面功率传输技术。

这些技术对于制造2nm芯片的公司来说至关重要，可以在降低功率泄漏的同时实现更高的逻辑密度和时钟速度。

与此同时，台积电的N3P和其他即将推出的3nm节点将继续使用成熟的FinFET架构，直到英特尔一年后的N2节点转向GAA。

不过台积电并不买账，公司总裁魏哲家之前声称，根据内部评估，台积电N3P 3nm工艺在性能方面就可以媲美Intel 18A，而且更早推出、更成熟、更省成本。

他还强调，台积电的2nm工艺比Intel 18A更加先进，2025年推出的时候将成为最先进的制程工艺。

值得一提的是，Intel的CEO之前还表示，英伟达的成功都是运气。