美光量产HBM3E高带宽内存：功耗将比对手产品低

2月27日消息，美光宣布开始量产HBM3E高带宽内存。美光称，其HBM3E的功耗将比竞争对手的产品低30％。

据悉，美光的HBM3E将应用于英伟达下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应，如今美光、三星都将加入。

HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，属于图形DDR内存的一种，通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，与GPU通过中介层互联封装在一起。

HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。CPU处理的任务类型更多，且更具随机性，对速率及延迟更为敏感，HBM特性更适合搭配GPU进行密集数据的处理运算，英伟达新一代AI芯片，均搭载HBM内存。

HBM产品问世至今，HBM技术已经发展至第四代，分别为HBM、HBM2、HBM2E、HBM3，第五代HBM3E目前已量产，HBM被认为是人工智能时代的新一代DRAM。