功耗降低30% 台积电重申2nm工艺2025年量产

今天的Q2财报会议上，台积电除了公布当季运营数据之外，还谈到了工艺进展，确认3nm工艺今年下半年量产，2nm则会在2025年量产。

目前HPC高性能计算占了台积电营收的重要部分，对先进工艺要求也是很高的，台积电的3nm工艺今年下半年量产，明年上半年贡献营收，不过初期会拉低一些毛利率，大约2-3个点。

台积电的3nm工艺共有5个衍生版本，包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E等等，会陆续在未来两三年内量产。

再往后就是2nm节点了，这是台积电的有一个重大节点，会采用纳米片晶体管（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），也就是进入GAA晶体管时代，不过三星在3nm节点就已经采用这个技术了。

N2相较于N3，在相同功耗下，速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%，开启高效能新纪元。

不过密度方面挤牙膏了，相比3nm仅提升了10%，远远达不到摩尔定律密度翻倍的要求，比之前台积电新工艺至少70%的密度提升也差远了。

根据台积电的信息，2nm工艺将在2024年试产，2025年量产。