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Intel 3工艺官方深入揭秘:号称性能飙升18%!

时间:2024-08-01 00:00|来源:未知|编辑:蓝狮在线客服主管|点击:

6月20日消息,Intel官方宣布,Intel 3工艺(相当于3nm级别)已经投入大规模量产,用于至强6 Sierra Forest能效核版本、Granite Ridge性能核版本,下半年陆续登场,但不会用于酷睿。

Intel 3作为现有Intel 4的升级版,带来了更高的晶体管密度和性能,并支持1.2V电压的超高性能应用,不但用于自家产品,还首次开放对外代工,未来多年会持续迭代。

首先强调,Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场,重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等,还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压,以实现最大负载。

为了获得性能、密度的最佳均衡,Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合 Intel 4只有前者。

客户如果有不同需求,还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择:14层的成本最低,18层的性能和成本最均衡,21层的性能最高。

此外,Intel 3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟,在更多生产工序中使用了EUV。

最终的结果是,Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下,相比Intel 4带来最多18%的提升!

Intel之前还曾表示,Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10%(可以理解为晶体管尺寸),每瓦性能(也就是能效)则提升了17%。

不过在关键尺寸方面,Intel 3、Intel 4是基本一致的,接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm,鳍片间距、M0间距都是30nm,另外库高度 x CPP的面积除了12K,还增加了10.5K版本,也是为了优化性能和成本平衡。

Intel 3后续还会优化推出不同的版本,针对性加强某个角度:

Intel 3-T:重点引入采用硅通孔(TSV)技术,针对3D堆叠进行优化。

Intel 3-E:扩展更多功能,比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等,可用于生产芯片组、存储芯片等。

Intel 3-PT:在3-E的基础上,增加9微米间距的硅通孔,以及混合键合,性能再提升至少5%,使用也更简单,可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。

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