性能暴增40%！三星2nm芯片全新技术方案定了：背

在上周的SEDEX 2022，三星更新了技术路线图，宣称计划2025年投产2nm芯片，2027年投产1.4nm。

其中对于2nm，三星研究员Park Byung-jae介绍了BSPDN（back side power delivery network）也就是背面供电。

该技术最早于2019年IMEC研讨会上被提出，2021年IEDM的一篇论文中又做了引用。

论文称，背面供电能解决当前正面方案（FSPDN）造成的布线堵塞问题，微观层面，可使芯片的性能提升44%，能效提升30%。

事实上，此前Intel也介绍过在未来的更先进工艺中使用VIA，后者同样是背面供电技术。

据悉，三星已经在6月30日投产3nm GAA（全环绕栅极晶体管）芯片，7月25日正式发货。GAA晶体管是继高K金属栅极平面FET、FinFET（鳍式场效应晶体管）后的全新方案，因为三星用了纳米片而不是纳米线，所以还得名MBCFET（多桥通道场效应晶体管）。